TSMC开发出随机存取频率高达500MHz的混载DRAM宏

  • 时间:
  • 浏览:0
  • 来源:5分快乐8网投平台-5分快乐8投注平台_5分快乐8娱乐平台





作者: hyy 转载/原文:技术在线

CNETNews.com.cn

5007-12-26 10:54:24

关键词: DRAM TSMC

台湾台积电(TSMC)发布了使用Bulk CMOS底板的随机存取时工作频率高达5000MHz的1Mbit混载DRAM宏(演讲序号:14.1)。在基于Bulk CMOS技术的混载DRAM宏中,目前是最高效率,实现了与使用SOI技术的混载DRAM宏相媲美的性能。

此前的混载DRAM宏一般请况下感应电压(SENSE电压)为电源电压的1/2(即1/2Vcc),而此次为实现高速存取等,使感应电压与电源电压的数值相等。另外,通过把读取和写入用的端口分开、以及同步进行读取和写入等的依据,提高了频率。

通过使用65nm CMOS技术进行制造,把暗含1Mbit DRAM宏、电源供给主次和ECC在内的电路面积控制在了0.46mm2。演讲的题目是“A 5000MHz Random-Access Embedded 1Mb DRAM Macro in Bulk CMOS”。

  • 【返回新闻首页】